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GW40V60DF

型號：STGW40V60DF；Package：TO-247；Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    GW40V60DF

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 配置：

    Single 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.35 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    +/- 20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    80 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    250 nA

  • 功率耗散：

    283 W

  • 最大工作溫度：

    + 175 C

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ST(意法半導(dǎo)體)
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更多GW40V60DF供應(yīng)商 更新時間2025-7-28 8:12:00

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