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GW60H65F

型號：STGW60H65F；Package：TO-247；60 A, 650 V field stop trench gate IGBT

Features ■Highspeedswitching ■Tightparameterdistribution ■Safeparalleling ■Lowthermalresistance ■6μsshort-circuitwithstandtime ■Leadfreepackage Applications ■Photovoltaicinverters ■Uninterruptiblepowersupply ■Welding ■Powerfactorcorrection ■Highswitching

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    GW60H65F

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 60A 650V FST IGBT Very High Switching

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多GW60H65F供應(yīng)商 更新時間2025-7-28 16:49:00

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