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GW50HF60SD

型號(hào):STGW50HF60SD;Package:TO-247;60 A, 600 V, very low drop IGBT with soft and fast recovery diode

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    GW50HF60SD

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 60A 600V Very Low Drop IGBT 600Vces

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
ST/意法
17+
TO-247
31518
原裝正品 可含稅交易
詢價(jià)
STMicroelectronics
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進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠萬力挺實(shí)單
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更多GW50HF60SD供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 14:01:00