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GWT40V60DLF

型號:STGWT40V60DLF;Package:TO-3P;Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    GWT40V60DLF

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 配置:

    Single 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.35 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    +/- 20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    80 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    250 nA

  • 功率耗散:

    283 W

  • 最大工作溫度:

    + 175 C

  • 封裝/箱體:

    TO-3P

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
STMicroelectronics
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更多GWT40V60DLF供應(yīng)商 更新時間2025-7-28 14:16:00