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GTVA263202FC分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
GTVA263202FC |
| 參數(shù)屬性 | GTVA263202FC 封裝/外殼為H-37248-4；包裝為帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：RF SIC HEMT 340W,2620 - 2690MHZ |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 340 W, 48 V, 2620 – 2690 MHz |
| 封裝外殼 | H-37248-4 |
| 文件大小 |
632.59 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | WOLFSPEED |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-8 8:31:00 |
| 人工找貨 | GTVA263202FC價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
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GTVA263202FC屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由WOLFSPEED, INC.制造生產(chǎn)的GTVA263202FC晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
描述 Description
The GTVA263202FC is a 340-watt (P3dB) GaN on SiC high electron
mobility transistor (HEMT) for use in multi-standard cellular power
amplifier applications. It features input matching, high efficiency, and
a thermally-enhanced surface-mount package with earless flange
特性 Features
? GaN on SiC HEMT technology
? Input matched
? Typical pulsed CW performance, 2690 MHz, 48 V,
combined outputs
- Output power at P3dB = 340 W
- Drain efficiency = 70
- Gain = 16 dB
? Capable of handling 10:1 VSWR @48 V, 80 W (CW)
output power
? Human Body Model Class 1B (per ANSI/ESDA/
JEDEC JS-001)
? Low thermal resistance
? Pb-free and RoHS compliant
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
GTVA263202FC-V1-R2
- 制造商：
Wolfspeed, Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 系列：
GaN
- 包裝：
帶
- 晶體管類型：
HEMT
- 頻率：
2.62GHz ~ 2.69GHz
- 增益：
17dB
- 功率 - 輸出：
340W
- 封裝/外殼：
H-37248-4
- 供應(yīng)商器件封裝：
H-37248-4
- 描述：
RF SIC HEMT 340W,2620 - 2690MHZ
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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