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GTVA261802FC-V1-R0分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
GTVA261802FC-V1-R0 |
| 參數(shù)屬性 | GTVA261802FC-V1-R0 封裝/外殼為H-37248C-4；包裝為帶；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：180W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 170 W, 48 V, 2620 – 2690 MHz |
| 封裝外殼 | H-37248C-4 |
| 文件大小 |
536.28 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | WOLFSPEED |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-7 23:00:00 |
| 人工找貨 | GTVA261802FC-V1-R0價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
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更多GTVA261802FC-V1-R0規(guī)格書詳情
GTVA261802FC-V1-R0屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由WOLFSPEED, INC.制造生產(chǎn)的GTVA261802FC-V1-R0晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
描述 Description
The GTVA261802FC is a 170-watt GaN on SiC high electron mobility
transistor (HEMT) for use in multi-standard cellular power amplifier
applications. It features input matching, high efficiency, and a
thermally-enhanced package with earless flange.
特性 Features
? GaN on SiC HEMT technology
? Input matched
? Typical Pulsed CW performance, combined outputs,
2690 MHz, 48 V, 10 μs pulse width, 10 duty cycle
- Output power at P3dB = 170 W
- Drain Efficiency at P3dB = 65.5
- Gain at P3dB = 15 dB
? Capable of handling 10:1 VSWR @ 48 V, 180 W (CW)
output power
? Human Body Model Class 1A (per ANSI/ESDA/JEDEC
JS-001)
? Low thermal resistance
? Pb-free and RoHS compliant
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
GTVA261802FC-V1-R0
- 制造商：
Wolfspeed, Inc.
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 系列：
GaN
- 包裝：
帶
- 晶體管類型：
HEMT
- 頻率：
2.62GHz ~ 2.69GHz
- 增益：
16.8dB
- 功率 - 輸出：
170W
- 封裝/外殼：
H-37248C-4
- 供應商器件封裝：
H-37248C-4
- 描述：
180W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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