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GTVA262701FA-V2-R0分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號(hào) |
GTVA262701FA-V2-R0 |
參數(shù)屬性 | GTVA262701FA-V2-R0 封裝/外殼為H-87265J-2;包裝為帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:270W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH |
功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 270 W, 48 V, 2620 ??2690 MHz |
封裝外殼 | H-87265J-2 |
文件大小 |
489 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
8 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | CREE |
中文名稱 | 科銳 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-8 11:10:00 |
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更多產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
GTVA262701FA-V2-R0
- 制造商:
Wolfspeed, Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 系列:
GaN
- 包裝:
帶
- 晶體管類型:
HEMT
- 頻率:
2.62GHz ~ 2.69GHz
- 增益:
17dB
- 功率 - 輸出:
270W
- 封裝/外殼:
H-87265J-2
- 供應(yīng)商器件封裝:
H-87265J-2
- 描述:
270W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
SOSHIN |
23+ |
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