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GTVA261701FA-V1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

GTVA261701FA-V1
廠商型號(hào)

GTVA261701FA-V1

參數(shù)屬性

GTVA261701FA-V1 包裝為帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:GAN SIC

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 170 W, 50 V, 2620 – 2690 MHz
GAN SIC

文件大小

750.06 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

WOLFSPEED

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-8 10:19:00

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GTVA261701FA-V1規(guī)格書詳情

GTVA261701FA-V1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由WOLFSPEED, INC.制造生產(chǎn)的GTVA261701FA-V1晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

描述 Description

The GTVA261701FA is a 170-watt (P3dB) GaN on SiC high electron

mobility transistor (HEMT) for use in multi-standard cellular power

amplifier applications. It features input matching, high efficiency, and

a thermally-enhanced package with earless flange.

特性 Features

? GaN on SiC HEMT technology

? Input Matched

? Typical CW performance, 2690 MHz, 48 V, single side

- Output power at P3dB = 170 W

- Efficiency = 75

- Gain = 15 dB

? Human Body Model, Class 1B (per ANSI/ESDA/

JEDEC JS-001)

? Capable of handling 10:1 VSWR @48 V, 40 W (CW)

output power

? RoHS-compliant

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    GTVA261701FA-V1-R2

  • 制造商:

    Wolfspeed, Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

  • 描述:

    GAN SIC

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Infineon
1931+
N/A
493
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詢價(jià)
Infineon
22+
NA
493
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詢價(jià)
WOLFSPEED
24+
N/A
1384
原裝原裝原裝
詢價(jià)
端子
2021+
10000
只做原裝,可提供樣品
詢價(jià)
Cree/Wolfspeed
100
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Infineon Technologies
22+
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價(jià)
OSRAM
10000
詢價(jià)
SOSHIN
23+
SMD-10
6800
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
詢價(jià)
SOSHIN
23+
SMD-10
88000
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
詢價(jià)
Wolfspeed
23+
N/A
10000
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