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GT30J121(Q)_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-Toshiba Semiconductor and Storage

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原廠料號(hào):GT30J121(Q)品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

資料說(shuō)明:IGBT 600V 30A 170W TO3PN

GT30J121(Q)是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生產(chǎn)封裝TO-3P-3,SC-65-3的GT30J121(Q)晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào):

    gt30j121(q)

  • 規(guī)格書:

    原廠下載 下載

  • 資料說(shuō)明:

    IGBT 600V 30A 170W TO3PN

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    GT30J121(Q)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.45V @ 15V,30A

  • 開關(guān)能量:

    1mJ(開),800μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    90ns/300ns

  • 測(cè)試條件:

    300V,30A,24 歐姆,15V

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-3P(N)

  • 描述:

    IGBT 600V 30A 170W TO3PN

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
TOSHIBA/東芝
2447
SMD
100500
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Toshiba Semiconductor and Stor
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TO-3P-3 SC-65-3
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TOSHIBA
2025+
TO-3PN
12420
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TOSHIBA
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TO-3PF
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TOS
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TO-3PF
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原廠直接發(fā)貨進(jìn)口原裝
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TOSHIBA
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TO-247
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百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可
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TOSHIBA
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TO-3PF
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日本東芝TOS
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TO3P
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TOSHIBA/東芝
21+
TO-3P
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詢價(jià)