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GT30J121(Q) 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 TOSHIBA/東芝

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

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  • 廠家型號(hào)：

    GT30J121(Q)

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    TOSHIBA

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    12420

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-3PN

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    2025+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-8-16 14:01:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：GT30J121(Q)品牌：TOSHIBA

  • 芯片型號(hào)：

    GT30J121(Q)

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    TOSHIBA【東芝】詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    Toshiba Semiconductor

  • 中文名稱(chēng)：

    株式會(huì)社東芝

  • 資料說(shuō)明：

    IGBT 晶體管 600V/30A DIS

產(chǎn)品參考屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    GT30J121(Q)

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.45V @ 15V，30A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    1mJ（開(kāi)），800μJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    90ns/300ns

  • 測(cè)試條件：

    300V，30A，24 歐姆，15V

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3P（N）

  • 描述：

    IGBT 600V 30A 170W TO3PN

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市亞泰盈科電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪留言

  • 聯(lián)系人：

    許小姐

  • 手機(jī)：

    18902849575

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    0755-83759959-806/18902849575

  • 傳真：

    0755-83759919

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)深南中路3006佳和大廈B座1010

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