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GT40QR21(STA1,E,D_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-Toshiba Semiconductor and Storage

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原廠料號：GT40QR21(STA1,E,D品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

資料說明：DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(

GT40QR21(STA1,E,D是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生產(chǎn)封裝TO-3P-3，SC-65-3的GT40QR21(STA1,E,D晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    gt40qr21(sta1,e,d

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 資料說明：

    DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    GT40QR21(STA1,E,D

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.7V @ 15V，40A

  • 開關(guān)能量：

    -，290μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 測試條件：

    280V，40A，10 歐姆，20V

  • 工作溫度：

    175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3P（N）

  • 描述：

    DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TOSHIBA
21+
TO-3P
2000
原裝優(yōu)勢現(xiàn)貨 歡迎咨詢
 詢價
TOSHIBA
21+
N/A
2500
進(jìn)口原裝,優(yōu)勢現(xiàn)貨
 詢價
TOSHIBA/東芝
22+
TO-3P
14100
原裝正品
 詢價
TOSHIBA
22+
SMD
25000
詢價
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5
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24+
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2500
優(yōu)勢庫存,原裝正品
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TOSHIBA(東芝)
23+
TO-3P-3
553
三極管/MOS管/晶體管 > IGBT管/模塊
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TOSHIBA/東芝
25+
TO-3P
880000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價

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