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GT30J121(Q) 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

GT30J121(Q)參考圖片

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  • 廠家型號：

    GT30J121(Q)

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

  • 庫存數(shù)量：

    62000

  • 產(chǎn)品封裝：

    N/A

  • 生產(chǎn)批號：

    24+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-8-17 11:06:00

  • 詳細信息
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原廠料號：GT30J121(Q)

一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇

GT30J121(Q)是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生產(chǎn)封裝N/A/TO-3P-3，SC-65-3的GT30J121(Q)晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    GT30J121(Q)

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 資料說明：

    IGBT 晶體管 600V/30A DIS

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    GT30J121(Q)

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.45V @ 15V，30A

  • 開關(guān)能量：

    1mJ（開），800μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    90ns/300ns

  • 測試條件：

    300V，30A，24 歐姆，15V

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-3P（N）

  • 描述：

    IGBT 600V 30A 170W TO3PN

供應商

  • 企業(yè)：

    現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪留言

  • 聯(lián)系人：

    董先生 李先生

  • 手機：

    19924492152

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-82542579 19924492152

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振中路華強廣場C座26J

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