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Marking：FGY160T65SPD；Package：TP-247-3LD；IGBT - Field Stop, Trench, Soft Fast Recovery Diode 650 V, 160 A Benefits ?VeryLowConductionandSwitchingLossesforaHighEfficiency OperationinVariousApplications ?RuggedTransientReliability ?OutstandingParallelOperationPerformancewithBalanceCurrentSharing ?LowEMI Features ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?VeryLowSaturat | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI |
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