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FGY160T65SPD-F085

Marking:FGY160T65SPD;Package:TP-247-3LD;IGBT - Field Stop, Trench, Soft Fast Recovery Diode 650 V, 160 A

Benefits ?VeryLowConductionandSwitchingLossesforaHighEfficiency OperationinVariousApplications ?RuggedTransientReliability ?OutstandingParallelOperationPerformancewithBalanceCurrentSharing ?LowEMI Features ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?VeryLowSaturat

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

FGY160T65SPD-F085

Package:TO-247-3;包裝:管件 類別:分立半導體產品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:650V FS GEN3 TRENCH IGBT

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

產品屬性

  • 產品編號:

    FGY160T65SPD-F085

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.05V @ 15V,160A

  • 開關能量:

    12.4mJ(開),5.7mJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    53ns/98ns

  • 測試條件:

    400V,160A,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    650V FS GEN3 TRENCH IGBT

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多FGY160T65SPD-F085供應商 更新時間2025-7-26 8:38:00