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FGY160T65SPD-F085分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

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廠商型號(hào)

FGY160T65SPD-F085

參數(shù)屬性

FGY160T65SPD-F085 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:650V FS GEN3 TRENCH IGBT

功能描述

IGBT - Field Stop, Trench, Soft Fast Recovery Diode 650 V, 160 A
650V FS GEN3 TRENCH IGBT

絲印標(biāo)識(shí)

FGY160T65SPD

封裝外殼

TP-247-3LD / TO-247-3

文件大小

3.43739 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-22 12:00:00

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FGY160T65SPD-F085規(guī)格書詳情

FGY160T65SPD-F085屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體制造生產(chǎn)的FGY160T65SPD-F085晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

Benefits

? Very Low Conduction and Switching Losses for a High Efficiency

Operation in Various Applications

? Rugged Transient Reliability

? Outstanding Parallel Operation Performance with Balance Current Sharing

? Low EMI

特性 Features

? AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable

? Very Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.6 V (Typ.) @ IC = 160 A

? Maximum Junction Temperature: TJ = 175°C

? Positive Temperature Co?Efficient

? Tight Parameter Distribution

? High Input Impedance

? 100 of the Parts are Dynamically Tested

? Short circuit ruggedness > 6 s @ 25°C

? Copacked with Soft, Fast Recovery Extremefast Diode

? This Device is Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

Applications

? Traction Inverter for HEV/EV

? Auxiliary DC/AC Converter

? Motor Drives

? Other Power?Train Applications Requiring High Power Switch

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    FGY160T65SPD-F085

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.05V @ 15V,160A

  • 開關(guān)能量:

    12.4mJ(開),5.7mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    53ns/98ns

  • 測(cè)試條件:

    400V,160A,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    650V FS GEN3 TRENCH IGBT

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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