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FGY160T65SPD-F085 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體
- 詳細信息
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原廠料號:FGY160T65SPD-F085品牌:ON/安森美
中賽美只做原裝沒有任何中間商差價
FGY160T65SPD-F085是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ON/安森美/onsemi生產(chǎn)封裝21+/TO-247-3的FGY160T65SPD-F085晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號:
FGY160T65SPD-F085
- 制造商:
onsemi
- 類別:
- 系列:
Automotive, AEC-Q101
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
溝槽型場截止
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.05V @ 15V,160A
- 開關(guān)能量:
12.4mJ(開),5.7mJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值:
53ns/98ns
- 測試條件:
400V,160A,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247-3
- 描述:
650V FS GEN3 TRENCH IGBT
供應(yīng)商
相近型號
- FGY100T120SWD
- FH007A
- FGW75N65WE
- FH101
- FGW75N60WQ
- FH101F
- FGW75N60HD
- FH102S-LF
- FGW60N65WE
- FH-11761-25
- FGW50N60WQ
- FH1200001
- FGW40N120WD
- FH1200004
- FGW25N120VD
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- FGSLC32X2
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