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FGHL50T65MQDTL4分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

FGHL50T65MQDTL4
廠商型號(hào)

FGHL50T65MQDTL4

參數(shù)屬性

FGHL50T65MQDTL4 封裝/外殼為T(mén)O-247-4;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO24

功能描述

Field Stop Trench IGBT 650 V, 50 A
FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO24

封裝外殼

TO-247-4

文件大小

410.49 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-30 23:01:00

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FGHL50T65MQDTL4規(guī)格書(shū)詳情

FGHL50T65MQDTL4屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的FGHL50T65MQDTL4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

Field stop 4th generation mid speed IGBT technology copacked

with full rated current diode.

特性 Features

? Maximum Junction Temperature: TJ = 175°C

? Positive Temperature Co?efficient for Easy Parallel Operating

? High Current Capability

? Low Saturation Voltage: VCE(Sat) = 1.45 V (Typ.) @ IC = 50 A

? 100% of the Parts are Tested for ILM (Note 2)

? Smooth and Optimized Switching

? Tight Parameter Distribution

? RoHS Compliant

Typical Applications

? Solar Inverter

? UPS, ESS

? PFC, Converters

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    FGHL50T65MQDTL4

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • IGBT 類型:

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.8V @ 15V,50A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    1mJ(開(kāi)),850μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    50ns/336ns

  • 測(cè)試條件:

    400V,50A,30 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-4

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-4L

  • 描述:

    FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO24

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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