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FGH80N60FD2TU分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
FGH80N60FD2TU |
參數(shù)屬性 | FGH80N60FD2TU 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 80A 290W TO247 |
功能描述 | 600V, 80A Field Stop IGBT |
封裝外殼 | TO-247-3 |
文件大小 |
650.63 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
9 頁 |
生產(chǎn)廠商 | FAIRCHILD Fairchild Semiconductor |
中文名稱 | 仙童半導體 飛兆/仙童半導體公司 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-24 23:50:00 |
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FGH80N60FD2TU規(guī)格書詳情
General Description
Using novel field stop IGBT technology, Fairchild?s field stop IGBTs offer the optimum performance for induction heating and PFC applications where low conduction and switching losses are essential.
特性 Features
? High Current Capability
? Low Saturation Coltage: VCE(sat) = 1.8 V @ IC = 40 A
? High Input Impedance
? Fast Switching
? RoHS Compliant
Applications
? Induction Heating, PFC
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
FGH80N60FD2TU
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- IGBT 類型:
場截止
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.4V @ 15V,40A
- 開關能量:
1mJ(開),520μJ(關)
- 輸入類型:
標準
- 25°C 時 Td(開/關)值:
21ns/126ns
- 測試條件:
400V,40A,10 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應商器件封裝:
TO-247-3
- 描述:
IGBT 600V 80A 290W TO247
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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