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FGH75T65UPD-F155分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

FGH75T65UPD-F155
廠商型號

FGH75T65UPD-F155

參數(shù)屬性

FGH75T65UPD-F155 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:650V,75A FIELD STOP TRENCH IGBT

功能描述

IGBT – Field Stop, Trench 650 V, 75 A
650V,75A FIELD STOP TRENCH IGBT

絲印標識

FGH75T65UPD

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

523.85 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導體

網址

網址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-24 23:01:00

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FGH75T65UPD-F155規(guī)格書詳情

FGH75T65UPD-F155屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導體公司制造生產的FGH75T65UPD-F155晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

描述 Description

Using innovative field stop trench IGBT technology, onsemi’s new

series of field?stop trench IGBTs offer optimum performance for solar

inverter, UPS, welder, and digital power genera?tor where low

conduction and switching losses are essential.

特性 Features

? Maximum Junction Temperature: TJ = 175°C

? Positive Temperature Co?efficient for Easy Parallel Operating

? High Current Capability

? Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.65 V(Typ.) @ IC = 75 A

? 100% of Parts Tested ILM

? High Input Impedance

? Tightened Parameter Distribution

? Short Circuit Ruggedness > 5 s @ 25°C

? These Devices are Pb?Free and are RoHS Compliant

Applications

? Solar Inverter, UPS, Digital Power Generator

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    FGH75T65UPD-F155

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.3V @ 15V,75A

  • 開關能量:

    3.68mJ(開),1.6mJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    42ns/216ns

  • 測試條件:

    400V,75A,3 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-247

  • 描述:

    650V,75A FIELD STOP TRENCH IGBT

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
onsemi(安森美)
24+
TO-247
1224
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務
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FAIRCHILD/仙童
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優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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ON/安森美
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十五年行業(yè)誠信經營,專注全新正品
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TO-247-3
25000
ON全系列可訂貨
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