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FGH80N60FD2TU分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
FGH80N60FD2TU |
參數(shù)屬性 | FGH80N60FD2TU 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 80A 290W TO247 |
功能描述 | DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION |
封裝外殼 | TO-247-3 |
文件大小 |
298.83 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
14 頁 |
生產(chǎn)廠商 | FAIRCHILD Fairchild Semiconductor |
中文名稱 | 仙童半導(dǎo)體 飛兆/仙童半導(dǎo)體公司 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-24 23:50:00 |
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FGH80N60FD2TU規(guī)格書詳情
描述 Description
SuperFET?II MOSFET is Fairchild Semiconductor?’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFETII MOSFET is suitable for various AC/DC power conversion for system miniaturization and higher efficiency.
特性 Features
? 650 V @TJ = 150°C
? Max. RDS(on) = 380 mΩ
? Ultra Low Gate Charge ( Typ. Qg = 34 nC)
? Low Effective Output Capacitance ( Typ. Coss.eff = 97 pF)
? 100 Avalanche Tested
Applications
? LCD / LED / PDP TV Lighting
? Solar Inverter
? AC-DC Power Supply
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
FGH80N60FD2TU
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- IGBT 類型:
場截止
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.4V @ 15V,40A
- 開關(guān)能量:
1mJ(開),520μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值:
21ns/126ns
- 測試條件:
400V,40A,10 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247-3
- 描述:
IGBT 600V 80A 290W TO247
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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ON/安森美 |
24+ |
TO-247 |
30000 |
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