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FGD3N60LSD數(shù)據(jù)手冊分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF
| 廠商型號 |
FGD3N60LSD |
| 參數(shù)屬性 | FGD3N60LSD 封裝/外殼為TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 6A 40W DPAK |
| 功能描述 | IGBT，600V，3A，1.2V，DPAK，平面 |
| 封裝外殼 | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名稱 | 安森美半導體 安森美半導體公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-31 23:01:00 |
| 人工找貨 | FGD3N60LSD價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
FGD3N60LSD規(guī)格書詳情
描述 Description
飛兆的絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)提供非常低的傳導損耗。 該器件專為極低導通壓降是必需功能的應用而設計。
特性 Features
? 高電流能力
? 極低飽和電壓： VCE(sat) = 1.2 V（IC = 3 A時）
? 高輸入阻抗
簡介
FGD3N60LSD屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的FGD3N60LSD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。
技術參數(shù)
更多- 制造商編號
：FGD3N60LSD
- 生產(chǎn)廠家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- AEC Qualified
：A
- Halide free
：H
- PPAP Capablee
：P
- Status
：Active
- V(BR)CES Typ (V)
：600
- IC Max (A)
：6
- VCE(sat) Typ (V)
：1.2
- VF Typ (V)
：1.5
- Eoff Typ (mJ)
：1
- Eon Typ (mJ)
：0.25
- Trr Typ (ns)
：234
- Irr Typ (A)
：2.64
- Gate Charge Typ (nC)
：12.5
- Short Circuit Withstand (μs)
：-
- EAS Typ (mJ)
：-
- PD Max (W)
：40
- Co-Packaged Diode
：Yes
- Package Type
：DPAK-3/TO-252-3
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
5000 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO252 |
7350 |
現(xiàn)貨供應,當天可交貨!免費送樣,原廠技術支持!!! |
詢價 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2023+ |
TO252 |
2354 |
十五年行業(yè)誠信經(jīng)營,專注全新正品 |
詢價 | ||
FAIRCHILD |
25+23+ |
TO252 |
10004 |
絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
三年內 |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-251 |
5000 |
原裝正品,假一罰十! |
詢價 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
SOT-252 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO252 |
880000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-252 |
505348 |
免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
詢價 | ||
FAIRCHIL |
24+ |
TO-252 |
8866 |
詢價 |
