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FGD3325G2-F085V數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF
| 廠商型號(hào) |
FGD3325G2-F085V |
| 參數(shù)屬性 | FGD3325G2-F085V 封裝/外殼為TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：ECOSPARK 2 330MJ, 250V, N |
| 功能描述 | IGBT, 250V, 25A, 1.35V, 330mJ, EcoSPARK?2, N-Channel Ignition |
| 封裝外殼 | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-16 16:36:00 |
| 人工找貨 | FGD3325G2-F085V價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
FGD3325G2-F085V規(guī)格書詳情
描述 Description
FGD3325G2-F085V
特性 Features
? SCIS Energy = 330mJ at TJ = 25oC
? Logic Level Gate Drive
? Qualified to AEC Q101
? RoHS Compliant
簡(jiǎn)介
FGD3325G2-F085V屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的FGD3325G2-F085V晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
技術(shù)參數(shù)
更多- 制造商編號(hào)
：FGD3325G2-F085V
- 生產(chǎn)廠家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- AEC Qualified
：A
- Halide free
：H
- PPAP Capablee
：P
- Status
：Active
- Package Type
：DPAK-3
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
TO-252 |
32000 |
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,低價(jià)出售,實(shí)單可談 |
詢價(jià) | ||
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||||
ON(安森美) |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
8000 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價(jià) | ||
ON |
24+ |
N/A |
8000 |
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售 |
詢價(jià) | ||
Fairchild/ON |
22+ |
TO252AA |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD |
1932+ |
TO-252 |
331 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
ON(安森美) |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
5000 |
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價(jià)格優(yōu)勢(shì)終端BOM表可配單提供樣品 |
詢價(jià) | ||
ON(安森美) |
24+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
8000 |
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價(jià)格優(yōu)勢(shì)終端BOM表可配單提供樣品 |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
to-252 |
25000 |
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價(jià) | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
- |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價(jià) |
