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FGD3050G2數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

PDF無圖
廠商型號

FGD3050G2

參數(shù)屬性

FGD3050G2 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 500V 27A DPAK-3

功能描述

IGBT,500V,27A,1.3V,300mJ,DPAKEcoSPARK? II,N 溝道點火
IGBT 500V 27A DPAK-3

封裝外殼

TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-25 15:24:00

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FGD3050G2規(guī)格書詳情

描述 Description

N-channel ignition IGBT for automotive ignition coil driver circuits and coil on plug applications.

特性 Features

? SCIS Energy = 300mJ at TJ = 25°C
? Logic Level Gate Drive
? Qualified to AEC Q101
? RoHS Compliant

簡介

FGD3050G2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的FGD3050G2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號

    :FGD3050G2

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • V(BR)CES Typ (V)

    :495

  • IC Max (A)

    :32

  • VCE(sat) Typ (V)

    :1.1

  • Eon Typ (mJ)

    :300

  • Trr Typ (ns)

    :1.6

  • Gate Charge Typ (nC)

    :22

  • EAS Typ (mJ)

    :300

  • PD Max (W)

    :150

  • Package Type

    :DPAK-3/TO-252-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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