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FGD2N40數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

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廠商型號

FGD2N40

參數(shù)屬性

FGD2N40 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 400V 7A 29W DPAK

功能描述

400V N-Channel Logic Level IGBT
IGBT 400V 7A 29W DPAK

封裝外殼

TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-17 8:22:00

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FGD2N40規(guī)格書詳情

簡介

FGD2N40屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的FGD2N40晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    FGD2N40L

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.6V @ 2.4V,2.5A

  • 輸入類型:

    邏輯

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    47ns/650ns

  • 測試條件:

    300V,2.5A,51歐姆,4V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-252AA

  • 描述:

    IGBT 400V 7A 29W DPAK

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
FAIRCHI
2020+
TO-252
2200
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
詢價(jià)
FAIRCHILD/仙童
22+
SOT-252
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
詢價(jià)
FSC/ON
21+
TO-252
7824
原裝現(xiàn)貨假一賠十
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FAIRCHILD/仙童
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NA/
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原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
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1428+
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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只做原裝正品現(xiàn)貨或訂貨!假一賠十!
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