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FGB3056_F085數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

廠商型號 |
FGB3056_F085 |
參數(shù)屬性 | FGB3056_F085 封裝/外殼為TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:ECOSPARK IGNITION IGBT |
功能描述 | IGBT,EcoSPARK? 300mJ,560V,N 溝道點(diǎn)火 |
封裝外殼 | TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司 |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-16 23:01:00 |
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FGB3056_F085規(guī)格書詳情
特性 Features
? SCIS 能量 = 300mJ (TJ = 25oC)
?邏輯電平柵極驅(qū)動
簡介
FGB3056_F085屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的FGB3056_F085晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
技術(shù)參數(shù)
更多- 制造商編號
:FGB3056_F085
- 生產(chǎn)廠家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- AEC Qualified
:A
- Halide free
:H
- PPAP Capablee
:P
- Status
:Active
- V(BR)CES Typ (V)
:560
- IC Max (A)
:29
- VCE(sat) Typ (V)
:560
- VF Typ (V)
:-
- Eoff Typ (mJ)
:-
- Eon Typ (mJ)
:-
- Trr Typ (ns)
:1480
- Irr Typ (A)
:-
- Gate Charge Typ (nC)
:15.6
- Short Circuit Withstand (μs)
:-
- EAS Typ (mJ)
:-
- PD Max (W)
:200
- Co-Packaged Diode
:-
- Package Type
:D2PAK-3/TO-263-2
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
7500 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO263AB |
7350 |
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!! |
詢價 | ||
FAIRCHILD |
18+ |
S0T-263 |
5000 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價 | ||
ON Sem |
25+ |
25000 |
原廠原包 深圳現(xiàn)貨 主打品牌 假一賠百 可開票! |
詢價 | |||
FAI |
23+ |
65480 |
詢價 | ||||
FAIRCHILD |
23+ |
TO-263 |
53817 |
##公司主營品牌長期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù) |
詢價 | ||
FAIRCHILD |
25+23+ |
TO263 |
24055 |
絕對原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價 | ||||
Fairchild/ON |
22+ |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 |