描述 Description

DrMOS系列器件是飛兆新一代完全優(yōu)化的超小型集成MOSFET及驅(qū)動器功率級解決方案，可用于高電流、高頻率、同步降壓DC-DC應(yīng)用。 FDMF3030將驅(qū)動器IC、兩個功率MOSFET和自舉肖特基二極管集成到了一個熱增強(qiáng)的、超小型6x6mm封裝中。通過集成方法，可實(shí)現(xiàn)完整開關(guān)功率級的驅(qū)動器、MOSFET動態(tài)性能、系統(tǒng)電感和功率MOSFET RDS(ON)優(yōu)化。 FDMF3030采用飛兆的高性能PowerTrench? MOSFET技術(shù)，可以顯著減少開關(guān)振鈴，省去大多數(shù)降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中使用的緩沖器電路。驅(qū)動器IC通過減少死區(qū)時間和傳播延遲，可進(jìn)一步提高性能。 熱警告功能會指示潛在過溫情況。 FDMF3030還具有可提高輕負(fù)載效率的過零檢測（ZCD_EN#引腳）功能，并提供能夠兼容大量PWM控制器的三態(tài)5V PWM輸入。

特性 Features

?超過93%的峰值效率
?高電流處理能力： 50A
?高性能PQFN銅片封裝
?三態(tài)5V PWM輸入驅(qū)動器
?通過ZCD_EN#輸入使能的二極管自動仿真（跳頻模式）
?為過溫情況提供熱警告標(biāo)志
?驅(qū)動器輸出禁用功能（DISB#引腳）
?ZCD_EN#輸入和DISB#輸入各自的內(nèi)部上拉和下拉
?飛兆PowerTrench?技術(shù)MOSFET，可提供干凈的電壓波形并降低振鈴噪聲
?低端MOSFET中的飛兆SyncFET?技術(shù)（集成肖特基二極管）
?集成自舉肖特基二極管
?實(shí)現(xiàn)直通保護(hù)的自適應(yīng)柵極驅(qū)動時序
?欠壓閉鎖(UVLO)
?為實(shí)現(xiàn)開關(guān)頻率達(dá)到1MHz而優(yōu)化
?薄型SMD封裝
?基于Intel? 4.0 DrMOS標(biāo)準(zhǔn)
?飛兆綠色封裝并符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

簡介

FDMF3030屬于集成電路（IC）的全半橋驅(qū)動器。由制造生產(chǎn)的FDMF3030全半橋驅(qū)動器器件屬于電橋驅(qū)動器電源管理集成電路 (PMIC) 系列，包含兩個或多個功率晶體管，以及在外部器件控制下將其用作開關(guān)所需的電路。這些晶體管通常在內(nèi)部配置為成對串聯(lián)連接（稱為半橋），因而任意指定晶體管對之間的結(jié)點(diǎn)都可以連接至兩個電源軌中的任一個。這類器件常用于將控制器件（如微控制器）提供的低電平信號轉(zhuǎn)換為操作執(zhí)行器（如步進(jìn)電機(jī)或無刷電機(jī)）所需的較大功率信號。