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FDMC86260數(shù)據(jù)手冊ONSEMI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

FDMC86260

功能描述

N 溝道,Power Trench? MOSFET,150V,25A,34mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導體 安森美半導體公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-14 18:21:00

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FDMC86260規(guī)格書詳情

描述 Description

此N溝道MOSFET采用飛兆半導體先進的Power Trench?工藝生產(chǎn),這一先進工藝是專為最大限度地降低導通電阻并保持卓越開關性能而定制的。

特性 Features

?Max rDS(on) = 34 mΩ (在VGS= 10 V, ID = 5.4 A時)
?最大值rDS(on) = 44 mΩ (在 VGS = 6 V, ID = 4.8 A時)
?通態(tài)電阻rDS(on)極低的高性能技術
?100%經(jīng)過UIL測試
?終端為無鉛產(chǎn)品
?符合RoHS標準

應用 Application

? DC-DC商用電源

技術參數(shù)

  • 制造商編號

    :FDMC86260

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :150

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :25

  • PD Max (W)

    :54

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :34

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :9.7

  • Ciss Typ (pF)

    :1000

  • Package Type

    :PQFN-8

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
FAIRCHILD
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QFN
9852
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