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CSD19538Q3A數(shù)據(jù)手冊TI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

CSD19538Q3A

功能描述

采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、61mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名稱

德州儀器 美國德州儀器公司

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-12 23:00:00

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CSD19538Q3A規(guī)格書詳情

描述 Description

這款 100V、49mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET?功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 旨在以最大限度降低導(dǎo)通損耗并減小以太網(wǎng)供電 (PoE) 應(yīng)用中的電路板 尺寸。

特性 Features

? 超低 Qg 和 Qgd
? 低熱阻
? 雪崩額定值
? 無鉛
? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
? 無鹵素
? 小外形尺寸無引線 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封裝

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :CSD19538Q3A

  • 生產(chǎn)廠家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)

    :61

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :36

  • QG typ (nC)

    :4.3

  • QGD typ (nC)

    :0.8

  • Package (mm)

    :SON3x3

  • VGS (V)

    :20

  • VGSTH typ (V)

    :3.2

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :13.7

  • ID - package limited (A)

    :15

  • Logic level

    :No

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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