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CSD19534Q5A數(shù)據(jù)手冊TI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

CSD19534Q5A

功能描述

采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、15.1mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名稱

德州儀器 美國德州儀器公司

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-12 23:00:00

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CSD19534Q5A規(guī)格書詳情

描述 Description

這款 100V,12.6mΩ,SON 5mm x 6mm NexFET 功率 MOSFET 被設(shè)計成在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中最大限度地降低損耗。 頂視圖 要了解所有可用封裝,請見數(shù)據(jù)表末尾的可訂購產(chǎn)品附錄。 RθJA = 40°C/W,這是在一個厚度 0.06 英寸環(huán)氧樹脂 (FR4) 印刷電路板 (PCB) 上的 1 英寸2,2 盎司 的銅過渡墊片上測得的典型值。 最大 RθJC = 2.0°C/W,脈沖持續(xù)時間 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%

特性 Features

? 超低 Qg 和 Qgd
? 低熱阻
? 雪崩額定值
? 無鉛端子鍍層
? 符合 RoHS 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)
? 無鹵素
? 小外形尺寸無引線 (SON) 5mm x 6mm 塑料封裝

應(yīng)用 Application

初級側(cè)電信應(yīng)用
電機(jī)控制

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :CSD19534Q5A

  • 生產(chǎn)廠家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)

    :15.1

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :137

  • QG typ (nC)

    :17

  • QGD typ (nC)

    :3.2

  • Package (mm)

    :SON5x6

  • VGS (V)

    :20

  • VGSTH typ (V)

    :2.8

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :44

  • ID - package limited (A)

    :40

  • Logic level

    :No

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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