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CSD19536KTT數(shù)據(jù)手冊(cè)TI中文資料規(guī)格書(shū)

PDF無(wú)圖
廠(chǎng)商型號(hào)

CSD19536KTT

功能描述

采用 D2PAK 封裝的單路、2.4mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名稱(chēng)

德州儀器 美國(guó)德州儀器公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-12 23:00:00

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CSD19536KTT規(guī)格書(shū)詳情

描述 Description

這款 100V、2mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET?功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的 損耗。

特性 Features

? 超低 Qg 和 Qgd
? 低熱阻
? 雪崩級(jí)
? 無(wú)鉛引腳鍍層
? 符合 RoHS 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)
? 無(wú)鹵素
? D2PAK 塑料封裝

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :CSD19536KTT

  • 生產(chǎn)廠(chǎng)家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)

    :2.4

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :400

  • QG typ (nC)

    :118

  • QGD typ (nC)

    :17

  • Package (mm)

    :D2PAK

  • VGS (V)

    :20

  • VGSTH typ (V)

    :2.5

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :272

  • ID - package limited (A)

    :200

  • Logic level

    :No

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
TI(德州儀器)
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TO263
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原廠(chǎng)可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道??珊灡9┖贤?/div>
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