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CSD19536KCS數(shù)據(jù)手冊(cè)TI中文資料規(guī)格書

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廠商型號(hào)

CSD19536KCS

功能描述

采用 TO-220 封裝的單路、2.7mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名稱

德州儀器 美國(guó)德州儀器公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-12 23:01:00

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CSD19536KCS規(guī)格書詳情

描述 Description

這款 100V,2.3mΩ,TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被設(shè)計(jì)成在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中最大限度地降低損耗。

特性 Features

? 超低 Qg 和 Qgd
? 低熱阻
? 雪崩額定值
? 無(wú)鉛引腳鍍層
? 符合 RoHS 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)
? 無(wú)鹵素
? 晶體管 (TO)-220 塑料封裝

應(yīng)用 Application

次級(jí)側(cè)同步整流器
電機(jī)控制

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :CSD19536KCS

  • 生產(chǎn)廠家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)

    :2.7

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :400

  • QG typ (nC)

    :118

  • QGD typ (nC)

    :17

  • Package (mm)

    :TO-220

  • VGS (V)

    :20

  • VGSTH typ (V)

    :2.5

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :259

  • ID - package limited (A)

    :150

  • Logic level

    :No

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
TI/德州儀器
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