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CSD18510Q5B數(shù)據(jù)手冊TI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

CSD18510Q5B

功能描述

采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、0.96mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名稱

德州儀器 美國德州儀器公司

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-13 20:00:00

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CSD18510Q5B規(guī)格書詳情

描述 Description

這款采用 5mm × 6mm SON 封裝的 40V、0.79mΩ、 NexFET?功率 MOSFET 的設(shè)計(jì)旨在追求以最大限度降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的功率 損耗。

特性 Features

? 低 RDS(ON)
? 低熱阻
? 雪崩額定值
? 邏輯電平
? 無鉛引腳鍍層
? 符合 RoHS 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)
? 無鹵素
? 小外形尺寸無引線 (SON) 5mm x 6mm 塑料封裝

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :CSD18510Q5B

  • 生產(chǎn)廠家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :1.6

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)

    :0.96

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :400

  • QG typ (nC)

    :118

  • QGD typ (nC)

    :21

  • Package (mm)

    :SON5x6

  • VGS (V)

    :20

  • VGSTH typ (V)

    :1.7

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :300

  • ID - package limited (A)

    :100

  • Logic level

    :Yes

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
TI
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SON
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原裝正品,假一罰十!
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