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CSD16322Q5數(shù)據(jù)手冊TI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

CSD16322Q5

功能描述

采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、5.8mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名稱

德州儀器 美國德州儀器公司

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-14 19:12:00

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CSD16322Q5規(guī)格書詳情

描述 Description

The NexFET? power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5V gate drive applications.

特性 Features

? Optimized for 5V Gate Drive
? Ultralow Qg and Qgd
? Low Thermal Resistance
? Avalanche Rated
? Pb Free Terminal Plating
? RoHS Compliant
? Halogen Free
? SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
? APPLICATIONS
? Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom and Computing Systems
? Synchronous or Control FET Applications

NexFET is a trademark of Texas Instruments.

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :CSD16322Q5

  • 生產(chǎn)廠家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :5.8

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :136

  • QG typ (nC)

    :6.8

  • QGD typ (nC)

    :1.3

  • Package (mm)

    :SON5x6

  • VGS (V)

    :10

  • VGSTH typ (V)

    :1.1

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :97

  • ID - package limited (A)

    :100

  • Logic level

    :Yes

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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