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CSD13202Q2數(shù)據(jù)手冊(cè)TI中文資料規(guī)格書(shū)

PDF無(wú)圖
廠(chǎng)商型號(hào)

CSD13202Q2

功能描述

采用 2mm x 2mm SON 封裝的單路、9.3mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名稱(chēng)

德州儀器 美國(guó)德州儀器公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-14 20:18:00

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CSD13202Q2規(guī)格書(shū)詳情

描述 Description

此 12V、7.5mΩ NexFET?功率 MOSFET 旨在最大限度降低功率轉(zhuǎn)換和負(fù)載管理 應(yīng)用中的損耗。該 SON 2 × 2 封裝尺寸可提供出色的熱性能。

特性 Features

? 超低 Qg 和 Qgd
? 低熱阻
? 雪崩級(jí)
? 無(wú)鉛引腳鍍層
? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
? 無(wú)鹵素
? 小外形尺寸無(wú)引線(xiàn) (SON) 2mm x 2mm 塑料封裝

應(yīng)用 Application

針對(duì)負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化
存儲(chǔ)、平板電腦和手持類(lèi)器件
針對(duì)控制場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化
負(fù)載點(diǎn)同步降壓轉(zhuǎn)換器

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :CSD13202Q2

  • 生產(chǎn)廠(chǎng)家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :9.3

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :76

  • QG typ (nC)

    :5.1

  • QGD typ (nC)

    :0.76

  • Package (mm)

    :SON2x2

  • VGS (V)

    :8

  • VGSTH typ (V)

    :0.8

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :14.4

  • ID - package limited (A)

    :22

  • Logic level

    :Yes

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
TI/德州儀器
19+
WSON6
17556
一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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