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CSD13306W數(shù)據(jù)手冊TI中文資料規(guī)格書

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廠商型號(hào)

CSD13306W

功能描述

采用 1mm x 1.5mm WLP 封裝的單路、10.2mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名稱

德州儀器 美國德州儀器公司

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-14 20:18:00

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CSD13306W規(guī)格書詳情

描述 Description

這款 8.8mΩ、12V N 通道器件設(shè)計(jì)用于在超薄且具有出色散熱特性的 1.5 mm × 1mm 小外形封裝內(nèi)提供最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷。

特性 Features

? 超低導(dǎo)通電阻
? 低 Qg 和 Qgd
? 1mm x 1.5mm 小尺寸封裝
? 低高度(高度為 0.62mm)
? 無鉛
? 符合 RoHS 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)
? 無鹵素

應(yīng)用 Application

電池管理
負(fù)載開關(guān)
電池保護(hù)

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :CSD13306W

  • 生產(chǎn)廠家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :10.2

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :44

  • QG typ (nC)

    :8.6

  • QGD typ (nC)

    :3

  • Package (mm)

    :WLP 1.0x1.5

  • VGS (V)

    :10

  • VGSTH typ (V)

    :1

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :3.5

  • ID - package limited (A)

    :3.5

  • Logic level

    :Yes

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
TI/德州儀器
18+
DSBGA6
6000
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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TI(德州儀器)
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TI/德州儀器
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原裝正品現(xiàn)貨庫存價(jià)優(yōu)
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TI(德州儀器)
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