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CSD13380F3數(shù)據(jù)手冊TI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

CSD13380F3

功能描述

采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、76mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名稱

德州儀器 美國德州儀器公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-14 23:00:00

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CSD13380F3規(guī)格書詳情

描述 Description

這款 63mΩ、12V N 溝道 FemtoFETMOSFET 經(jīng)過了設計和優(yōu)化,能夠最大限度減小許多手持式和移動類應用的 尺寸。這項技術能夠在替代標準小信號金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 的同時大幅減小封裝尺寸。 . . RθJA = 90°C/W,這是一塊厚度為 0.06 英寸 (1.52mm) 的環(huán)氧樹脂 (FR4) 印刷電路板 (PCB) 上的 1 英寸2 (6.45cm2),2 盎司 (厚度 0.071mm)銅焊盤上測得的典型值(覆銅面積最大時的典型值)。RθJA = 255°C/W(覆銅面積最小時的典型值)。脈沖持續(xù)時間 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%。

特性 Features

? 低導通電阻
? 超低 Qg 和 Qgd
? 高運行漏極電流
? 超小尺寸
? 0.73mm x 0.64mm

? 薄型
? 最大高度為 0.35mm

? 集成靜電放電 (ESD) 保護二極管
? 額定值 > 3kV 人體模型 (HBM)
? 額定值 > 2kV 充電器件模型 (CDM)

? 無鉛且無鹵素
? 符合 RoHS 環(huán)保標準

應用 Application

針對負載開關應用進行了優(yōu)化
針對通用開關應用進行了優(yōu)化
電池應用
手持式和移動類應用

技術參數(shù)

  • 制造商編號

    :CSD13380F3

  • 生產(chǎn)廠家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :76

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :13.5

  • QG typ (nC)

    :0.91

  • QGD typ (nC)

    :0.15

  • Package (mm)

    :LGA 0.7x0.6mm

  • VGS (V)

    :8

  • VGSTH typ (V)

    :0.85

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :3.6

  • ID - package limited (A)

    :3.6

  • Logic level

    :Yes

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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