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RFP12N10

12A,80Vand100V,0.200Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs

TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydriversanddriversforhighpowerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgatedrivepower.These

Intersil

Intersil Corporation

RFP12N10L

12A,100V,0.200Ohm,LogicLevel,N-ChannelPowerMOSFET

TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsspecificallydesignedforusewithlogiclevel(5V)drivingsourcesinapplicationssuchasprogrammablecontrollers,automotiveswitchingandsolenoiddrivers.Thisperformanceisaccomplishedthroughaspecialgate

Intersil

Intersil Corporation

RFP12N10L

12A,100V,0.200Ohm,LogicLevel,N-ChannelPowerMOSFET

TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsspecificallydesignedforusewithlogiclevel(5V)drivingsourcesinapplicationssuchasprogrammablecontrollers,automotiveswitchingandsolenoiddrivers.Thisperformanceisaccomplishedthroughaspecialgate

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

RFP12N10L

N-ChannelLogicLevelPowerField-EffectTransistors(L2FET)

TheRFM12N08LandRFM12N10LandtheRFP12N08LandRFP12N10Laren-channelenhancement-modesilicon-gatepowerfield-effecttransistorsspecificallydesignedforusewithlogiclevel(5volt)drivingsourcesinapplicationssuchasprogrammablecontrollers,automotiveswitching,andsolenoiddriver

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • BVDSS(V)：

    100

  • Rds(on)mΩ@10V：

    175

  • Rds(on)mΩ@5V：

    185

  • ID(A)：

    11

  • Qg(nC)@10V(typ)：

    12

  • RθJC(℃/W)：

    3.5

  • Pd(W)：

    43

  • Configuration：

    Single

  • Polarity：

    N

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
CET/華瑞
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CET/華瑞全新特價(jià)CED12N10L即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨
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CET/華瑞
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CET/華瑞
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VBsemi/臺灣微碧
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TO-251
28000
原裝正品
 詢價(jià)
更多CED12N10L供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 20:12:00

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