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MTP12N10

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.18Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MTP12N10E

TMOSPOWERFET12AMPERES100VOLTSRDS(on)=0.16OHM

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTP12N10E

PowerFieldEffectTransistor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

MTP12N10E

PowerFieldEffectTransistor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

MTP12N10L

PowerFieldEffectTransistor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

NTD12N10

PowerMOSFET12Amps,100Volts

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTD12N10

PowerMOSFET12Amps,100VoltsN??hannelEnhancement??odeDPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTD12N10

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.165Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

NTD12N10G

PowerMOSFET12Amps,100Volts

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTD12N10G

N-Channel100V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • BVDSS(V):

    100

  • Rds(on)mΩ@10V:

    175

  • Rds(on)mΩ@5V:

    185

  • ID(A):

    11

  • Qg(nC)@10V(typ):

    12

  • RθJC(℃/W):

    3.5

  • Pd(W):

    43

  • Configuration:

    Single

  • Polarity:

    N

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多CED12N10L供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 20:12:00