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NTD12N10G

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

VBSEMI

NTD12N10G

Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

PHD12N10E

PowerMOStransistor

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemounting.ThedeviceisintendedforuseinSwitchedModePowerSupplies(SMPS),motorcontrol,welding,DC/DCandAC/DCconverters,andingeneralpurposeswitchingapplication

PHIPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHI

PHD12N10E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=14A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.16Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

ISC

PHP12N10E

PowerMOStransistor

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelope.ThedeviceisintendedforuseinSwitchedModePowerSupplies(SMPS),motorcontrol,welding,DC/DCandAC/DCconverters,andingeneralpurposeswitchingapplications.

PHIPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHI

詳細參數(shù)

  • 型號：

    NTD12N10G

  • 功能描述：

    MOSFET 100V 12A N-Channel

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ONSEMI/安森美
25+
DPAK
20300
ONSEMI/安森美原裝特價NTD12N10G即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨
 詢價
ON/安森美
24+
DPAK
20000
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價
ON/安森美
24+
TO-252
505348
免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
 詢價
ON
24+
DPAK4LEADSingleG
8866
詢價
ON
23+
TO-252
5000
原裝正品,假一罰十
 詢價
ON
2020+
TO-252
125
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價
ON
23+
TO-252
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價
ONS
24+
TO-252
90000
一級代理商進口原裝現(xiàn)貨、價格合理
 詢價
ON
6000
面議
19
DIP/SMD
 詢價
ONS
08+
DPAK
20000
普通
 詢價
更多NTD12N10G供應商 更新時間2025-8-1 14:13:00

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