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BLP10H610數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF

PDF無圖
廠商型號

BLP10H610

參數(shù)屬性

BLP10H610 封裝/外殼為12-VDFN 裸露焊盤;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN

功能描述

Broadband LDMOS driver transistor
RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN

封裝外殼

12-VDFN 裸露焊盤

制造商

Ampleon Ampleon USA Inc.

中文名稱

安譜隆

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-9-1 23:00:00

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BLP10H610規(guī)格書詳情

描述 Description

A 10 W plastic LDMOS power transistor for broadcast transmitter and ISM applications at frequencies from HF to 1400 MHz.

特性 Features

? Easy power control
? Integrated ESD protection
? Excellent ruggedness
? High efficiency
? Excellent thermal stability
? Designed for broadband operation (HF to 1400 MHz)
? Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)

應(yīng)用 Application

? Industrial, scientific and medical applications
? Broadcast transmitter applications

簡介

BLP10H610屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由制造生產(chǎn)的BLP10H610晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號

    :BLP10H610

  • 生產(chǎn)廠家

    :Ampleon

  • GP (dB)

    :22.0

  • Die Technology

    :LDMOS

  • VDS (V)

    :50.0

  • ηD (%)

    :60.0

  • PL(1dB) (W)

    :10.0

  • PL(1dB) (dBm)

    :40.0

  • Test Signal

    :CW pulsed class-AB @ 860 MHz

  • Fmin (MHz)

    :10

  • Fmax (MHz)

    :1400

  • Status

    :Not for design in

  • Matching

    :-

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