BLP10H605數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF
| 廠商型號(hào) |
BLP10H605 |
| 參數(shù)屬性 | BLP10H605 封裝/外殼為12-VDFN 裸露焊盤；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN |
| 功能描述 | Broadband LDMOS driver transistor |
| 封裝外殼 | 12-VDFN 裸露焊盤 |
| 制造商 | Ampleon Ampleon USA Inc. |
| 中文名稱 | 安譜隆 |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-2 11:10:00 |
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BLP10H605規(guī)格書詳情
描述 Description
A 5 W plastic LDMOS power transistor for broadcast transmitter and ISM applications at frequencies from HF to 1400 MHz.
特性 Features
? Easy power control
? Integrated dual side ESD protection
? Excellent ruggedness
? High efficiency
? Excellent thermal stability`
? Designed for broadband operation (HF to 1400 MHz)
? Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)
應(yīng)用 Application
? Industrial, scientific and medical applications
? Broadcast transmitter applications
簡(jiǎn)介
BLP10H605屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由制造生產(chǎn)的BLP10H605晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
技術(shù)參數(shù)
更多- 制造商編號(hào)
：BLP10H605
- 生產(chǎn)廠家
：Ampleon
- GP (dB)
：22.4
- Die Technology
：LDMOS
- VDS (V)
：50.0
- ηD (%)
：59.6
- PL(1dB) (W)
：5.0
- PL(1dB) (dBm)
：37.0
- Test Signal
：CW pulsed class-AB @ 860 MHz
- Fmin (MHz)
：10
- Fmax (MHz)
：1400
- Status
：Production
- Matching
：-
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AMPLEON |
23+ |
QFN |
10000 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種 |
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Ampleon USA Inc. |
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Ampleon |
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NA |
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