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首頁(yè)>BLP10H605>規(guī)格書詳情

BLP10H605數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF

PDF無圖
廠商型號(hào)

BLP10H605

參數(shù)屬性

BLP10H605 封裝/外殼為12-VDFN 裸露焊盤;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN

功能描述

Broadband LDMOS driver transistor

封裝外殼

12-VDFN 裸露焊盤

制造商

恩XP 恩XP

中文名稱

N智浦

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-9-2 8:24:00

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技術(shù)參數(shù)

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BLP10H605Z

  • 制造商:

    ETC

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS(雙),共源

  • 頻率:

    860MHz

  • 增益:

    22.4dB

  • 功率 - 輸出:

    5W

  • 封裝/外殼:

    12-VDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    12-HVSON(6x5)

  • 描述:

    RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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