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BLP10H603數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF

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廠商型號

BLP10H603
參數(shù)屬性

BLP10H603 封裝/外殼為12-VDFN 裸露焊盤；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
功能描述

Broadband LDMOS driver transistor
封裝外殼

12-VDFN 裸露焊盤
制造商

恩XP 恩XP
中文名稱

N智浦

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二
更新時(shí)間

2025-9-1 23:00:00
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技術(shù)參數(shù)

  • 產(chǎn)品編號：

    BLP10H603Z

  • 制造商：

    ETC

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    860MHz

  • 增益：

    22.8dB

  • 功率 - 輸出：

    2.5W

  • 封裝/外殼：

    12-VDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    12-HVSON（6x5）

  • 描述：

    RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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