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VNV35NV04-E數(shù)據(jù)手冊集成電路(IC)的配電開關(guān)負(fù)載驅(qū)動器規(guī)格書PDF

PDF無圖
廠商型號

VNV35NV04-E

參數(shù)屬性

VNV35NV04-E 封裝/外殼為PowerSO-10 裸露底部焊盤;包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的配電開關(guān)負(fù)載驅(qū)動器;產(chǎn)品描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO10

功能描述

OMNIFET II :FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO10

封裝外殼

PowerSO-10 裸露底部焊盤

制造商

ST STMicroelectronics

中文名稱

意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團(tuán)

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-24 23:01:00

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VNV35NV04-E規(guī)格書詳情

描述 Description

The VNB35NV04-E, VNP35NV04-E and VNV35NV04-E are monolithic devices designed inSTMicroelectronics?VIPower?M0-3 Technology, intended for replacementof standard Power MOSFETs from DC up to 25 kHz applications.
Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chipin harsh environments. Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the inputpin.

特性 Features

? Linear current limitation
? Thermal shutdown
? Short circuit protection
? Integrated clamp
? Low current drawn from input pin
? Diagnostic feedback through input pin
? ESD protection
? Direct access to the gate of the Power MOSFET (analog driving)
? Compatible with standard Power MOSFET

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    VNV35NV04-E

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    集成電路(IC) > 配電開關(guān),負(fù)載驅(qū)動器

  • 系列:

    OMNIFET II?, VIPower?

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 開關(guān)類型:

    通用

  • 輸出數(shù):

    1

  • 比率 - 輸入:

    1:1

  • 輸出配置:

    低端

  • 輸出類型:

    N 通道

  • 接口:

    開/關(guān)

  • 電壓 - 負(fù)載:

    36V(最大)

  • 電壓 - 供電 (Vcc/Vdd):

    不需要

  • 電流 - 輸出(最大值):

    30A

  • 導(dǎo)通電阻(典型值):

    10 毫歐(最大)

  • 輸入類型:

    非反相

  • 故障保護(hù):

    限流(固定),超溫,過壓

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    10-PowerSO

  • 封裝/外殼:

    PowerSO-10 裸露底部焊盤

  • 描述:

    IC PWR DRIVER N-CHAN 1

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST/意法
24+
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原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持!
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