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VNS3NV04DP-E數(shù)據(jù)手冊集成電路（IC）的配電開關(guān)負(fù)載驅(qū)動器規(guī)格書PDF
| 廠商型號 |
VNS3NV04DP-E |
| 參數(shù)屬性 | VNS3NV04DP-E 封裝/外殼為8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）；類別為集成電路（IC）的配電開關(guān)負(fù)載驅(qū)動器；產(chǎn)品描述：IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO |
| 功能描述 | OMNIFET II全自動保護(hù)功率MOSFET |
| 封裝外殼 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團(tuán) |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-24 16:49:00 |
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描述 Description
The VNS3NV04DP-E device is made up of two monolithic chips (OMNIFET II) housed in a standard SO-8 package. The OMNIFET II is designed using STMicroelectronics? VIPower? M0-3 technology and is intended for replacement of standard Power MOSFETs in up to 50 kHz DC applications.
Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments.
Fault feedback can be detected by monitoring voltage at the input pin
特性 Features
? AEC-Q100 qualified
? ECOPACK: lead free and RoHS compliant
? Linear current limitation
? Thermal shutdown
? Short circuit protection
? Integrated clamp
? Low current drawn from input pin
? Diagnostic feedback through input pin
? ESD protection
? Direct access to the gate of the Power MOSFET (analog driving)
? Compatible with standard Power MOSFET
技術(shù)參數(shù)
更多- 制造商編號
：VNS3NV04DP-E
- 生產(chǎn)廠家
：ST
- Technology
：M0-3
- RDS(on)_typ(mΩ)
：120
- General Description
：OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
- Marketing Status
：Active
- Package
：SO-8
- RoHS Compliance Grade
：Ecopack2
- Clamp Voltage_typ(V)
：45
- Drain Current Limit_typ(A)
：5
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
25+23+ |
SOP-8 |
26967 |
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詢價 | ||
ST(意法) |
24+ |
8-SOIC(0.154 |
32000 |
詢價 | |||
ST/意法 |
2410+ |
SOP |
9000 |
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詢價 | ||
ST |
23+ |
SOP-8 |
16900 |
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詢價 | ||
STMicroelectronics |
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詢價 | ||
ST/意法 |
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詢價 | ||
ST |
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SMD |
100500 |
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ST |
20+ |
na |
65790 |
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詢價 |
