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VNV35NV04-E

OMNIFET II :FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET; ? Linear current limitation\n? Thermal shutdown\n? Short circuit protection\n? Integrated clamp\n? Low current drawn from input pin? Diagnostic feedback through input pin\n? ESD protection\n? Direct access to the gate of the Power MOSFET (analog driving)\n? Compatible with standard Power MOSFET;

The VNB35NV04-E, VNP35NV04-E and VNV35NV04-E are monolithic devices designed inSTMicroelectronics?VIPower?M0-3 Technology, intended for replacementof standard Power MOSFETs from DC up to 25 kHz applications.\n Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chipin harsh environments. Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the inputpin.\n

STSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

VNV35NV04-E

OMNIFET II: fully autoprotected Power MOSFET

Description TheVNB35NV04-E,VNP35NV04-EandVNV35NV04-EaremonolithicdevicesdesignedinSTMicroelectronics?VIPower?M0-3Technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCupto25kHzapplications. Built-inthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltagecla

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

VNV35NV04-E

Package：PowerSO-10 裸露底部焊盤；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 配電開關(guān)，負(fù)載驅(qū)動(dòng)器 描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO10

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

VNV35NV04TR-E

OMNIFETII:fullyautoprotectedPowerMOSFET

Description TheVNB35NV04-E,VNP35NV04-EandVNV35NV04-EaremonolithicdevicesdesignedinSTMicroelectronics?VIPower?M0-3Technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCupto25kHzapplications. Built-inthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltagecla

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

VNW35NV04

FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

VNW35NV04

OMNIFETIIFULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheVNB35NV04,VNP35NV04,VNV35NV04,VNW35NV04aremonolithicdevicesdesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0-3Technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETSfromDCupto25KHzapplications.Builtinthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclamp

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    VNV35NV04-E

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    集成電路（IC） > 配電開關(guān)，負(fù)載驅(qū)動(dòng)器

  • 系列：

    OMNIFET II?, VIPower?

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 開關(guān)類型：

    通用

  • 輸出數(shù)：

    1

  • 比率 - 輸入：

    1：1

  • 輸出配置：

    低端

  • 輸出類型：

    N 通道

  • 接口：

    開/關(guān)

  • 電壓 - 負(fù)載：

    36V（最大）

  • 電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：

    不需要

  • 電流 - 輸出（最大值）：

    30A

  • 導(dǎo)通電阻（典型值）：

    10 毫歐（最大）

  • 輸入類型：

    非反相

  • 故障保護(hù)：

    限流（固定），超溫，過(guò)壓

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    10-PowerSO

  • 封裝/外殼：

    PowerSO-10 裸露底部焊盤

  • 描述：

    IC PWR DRIVER N-CHAN 1

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
STMicroelectronics
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STMicroelectronics
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HSOP10
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意法半導(dǎo)體
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 詢價(jià)
更多VNV35NV04-E供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 16:50:00

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