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TH58BYG3S0HBAI6數(shù)據(jù)手冊集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF

PDF無圖
廠商型號

TH58BYG3S0HBAI6

參數(shù)屬性

TH58BYG3S0HBAI6 封裝/外殼為67-VFBGA;包裝為托盤;類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC FLASH 8GBIT 67VFBGA

功能描述

BENAND (Built-in ECC SLCNAND)

封裝外殼

67-VFBGA

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名稱

東芝 株式會社東芝

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-24 21:57:00

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TH58BYG3S0HBAI6規(guī)格書詳情

描述 Description

Capacity (bit):8G(4G×2)
Tech. node (nm):24
Page size (bit):(4096+128)×8
Block size (bit):(256K+8K)×8
I/O (bit):8
Keyword:8Gbit BENAND, 1.8V, x8, 24nm, FBGA
RoHS Compatible Product(s) (#):Available

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :TH58BYG3S0HBAI6

  • 生產(chǎn)廠家

    :Toshiba

  • Access Time (Serial Cycle) (Min)

    :25 nsec

  • Operational Temperature

    :-40 to 85 ℃

  • Supply Voltage

    :1.7 to 1.95 V

  • Block Erasing Time (Typ.)

    :3.5 msec

  • Program Time (Typ.)

    :0.34 μs

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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