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TH58BVG2S3HBAI4數(shù)據(jù)手冊集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF

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廠商型號

TH58BVG2S3HBAI4

參數(shù)屬性

TH58BVG2S3HBAI4 封裝/外殼為63-VFBGA;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT);類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC FLASH 4GBIT 63TFBGA

功能描述

NAND閃存 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

封裝外殼

63-VFBGA

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名稱

東芝 株式會社東芝

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-24 18:19:00

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技術(shù)參數(shù)

  • 產(chǎn)品編號:

    TH58BVG2S3HBAI4

  • 制造商:

    Kioxia America, Inc.

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 系列:

    Benand?

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    閃存

  • 技術(shù):

    FLASH - NAND(SLC)

  • 存儲容量:

    4Gb(512M x 8)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    25ns

  • 電壓 - 供電:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    63-VFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    63-TFBGA(9x11)

  • 描述:

    IC FLASH 4GBIT 63TFBGA

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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