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STW24N60M6

N-channel 600 V, 162 m typ., 17 A, MDmeshTM M6 Power MOSFET in a TO-247 package

Features ?Reducedswitchinglosses ?LowerRDS(on)perareavspreviousgeneration ?Lowgateinputresistance ?100avalanchetested ?Zener-protected Description ThenewMDmesh?M6technologyincorporatesthemostrecentadvancementsto thewell-knownandconsolidatedMDmeshfamilyof

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STW24N60M6

Package：TO-247-3；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個 描述：MOSFET N-CH 600V TO247

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STB24N60M6

N-ChannelMOSFET

FEATURES ·DrainCurrent-ID=17A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.19Ω(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·SwitchModePowerSupply(SMPS) ·UninterruptiblePowerSupply(UPS) ·PowerFactorCorrection(PFC)

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

STB24N60M6

N-channel600V,162m廓typ.,17A,MDmesh??M6PowerMOSFETinaD?PAK

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STF24N60M6

N-channel600V,162mtyp.,17A,MDmeshTMM6PowerMOSFETinaTO-220FPpackage

Features ?Reducedswitchinglosses ?LowerRDS(on)perareavspreviousgeneration ?Lowgateinputresistance ?100avalanchetested ?Zener-protected Description ThenewMDmesh?M6technologyincorporatesthemostrecentadvancementsto thewell-knownandconsolidatedMDmeshfamilyof

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STI24N60M6

N-channel600V,162mtyp.,17A,MDmesh?M6PowerMOSFETinanI2PAKpackage

Features ?Reducedswitchinglosses ?LowerRDS(on)perareavspreviousgeneration ?Lowgateinputresistance ?100avalanchetested ?Zener-protected Description ThenewMDmesh?M6technologyincorporatesthemostrecentadvancementsto thewell-knownandconsolidatedMDmeshfamilyof

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STL24N60M6

N-channel600V,0.175typ.,15A,MDmeshTMM6PowerMOSFETinaPowerFLATTM8x8HVpackage

Features ?Reducedswitchinglosses ?LowerRDS(on)perareavspreviousgeneration ?Lowgateinputresistance ?100avalanchetested ?Zener-protected Description ThenewMDmesh?M6technologyincorporatesthemostrecentadvancementsto thewell-knownandconsolidatedMDmeshfamilyof

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意法半導體意法半導體集團

STO24N60M6

N-channel600V,162mtyp.,17A,MDmeshM6PowerMOSFETinaTO?LLpackage

Features ?Reducedswitchinglosses ?LowerRDS(on)perareavspreviousgeneration ?Lowgateinputresistance ?100avalanchetested ?Zener-protected Description ThenewMDmeshM6technologyincorporatesthemostrecentadvancementstothe well-knownandconsolidatedMDmeshfamilyof

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STP24N60M6

N-channel600V,162mtyp.,17A,MDmesh?M6PowerMOSFETinaTO-220package

Features ?Reducedswitchinglosses ?LowerRDS(on)perareavspreviousgeneration ?Lowgateinputresistance ?100avalanchetested ?Zener-protected Description ThenewMDmesh?M6technologyincorporatesthemostrecentadvancementsto thewell-knownandconsolidatedMDmeshfamilyof

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    STW24N60M6

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個

  • 系列：

    MDmesh? M6

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • FET 類型：

    N 通道

  • 技術(shù)：

    MOSFET（金屬氧化物）

  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：

    17A（Tj）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 描述：

    MOSFET N-CH 600V TO247

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ST/意法
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ST/意法全新特價STW24N60M6即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨
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更多STW24N60M6供應(yīng)商 更新時間2025-7-27 10:12:00

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