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STW24N60M6分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料

STW24N60M6
廠商型號

STW24N60M6

參數(shù)屬性

STW24N60M6 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個;產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 600V TO247

功能描述

N-channel 600 V, 162 m typ., 17 A, MDmeshTM M6 Power MOSFET in a TO-247 package
MOSFET N-CH 600V TO247

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

265.27 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商

STMICROELECTRONICS

中文名稱

意法半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-4 21:27:00

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STW24N60M6規(guī)格書詳情

STW24N60M6屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個。由意法半導(dǎo)體集團制造生產(chǎn)的STW24N60M6晶體管 - FET,MOSFET - 單個分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

特性 Features

? Reduced switching losses

? Lower RDS(on) per area vs previous generation

? Low gate input resistance

? 100 avalanche tested

? Zener-protected

描述 Description

The new MDmesh? M6 technology incorporates the most recent advancements to

the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs.

STMicroelectronics builds on the previous generation of MDmesh devices through its

new M6 technology, which combines excellent RDS(on) per area improvement with

one of the most effective switching behaviors available, as well as a user-friendly

Product status link experience for maximum end-application efficiency.

Applications

? Switching applications

? LLC converters

? Boost PFC converters

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    STW24N60M6

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個

  • 系列:

    MDmesh? M6

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • FET 類型:

    N 通道

  • 技術(shù):

    MOSFET(金屬氧化物)

  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    17A(Tj)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 描述:

    MOSFET N-CH 600V TO247

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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